در اختراع حاضر محلول اچانت شيميايي مناسب براي اچ كردن آلياژهاي NiTi بدست آمده و با استفاده از اندازه گيري تغييرات مقاومت الكتريكي، مشاهدات ميكروسكوپي (با استفاده از ميكروسكوپ نوري با نور پلاريزه) و آناليز DSC دماهاي بازيابي و تبلور مجدد تعيين شدند. نتايج نشان دادند كه ريز شدن دانه ها در اثر انجام فرايند تبلور مجدد باعث بهبود رفتار سوپر الاستيسيته سيم هاي حافظه دار مي گردد. با انجام عمليات پير سازي پس از عمليات آنيل (پس از فرآيند تبلور مجدد) و در اثر تشكيل رسوبات , Ni , Ti رفتار سوپرالاستيسينه بهترين برگشت پذيري (بدون كمترين كرنش باقي مانده را از خود نشان مي دهد. همچنين نتايج حاكي از اين امر بودند كه اندازه دانه هاي متفاوت ناشي از زمانهاي متفاوت عمليات آنيل، در توزيع رسوبات تأثير گذار بوده Ni4Ti3 و موجب تغييراتي در دماهاي استحاله مي گردند و نتيجتا در دماهاي كاربردي متفاوت ميتوان ماكزيمم سوپرالاستيسيته را در اين سيم ها مشاهده نمود.